| 型号： | NSS35200MR6T1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| NSS35200MR6T1G PDF |  |
| 产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 产品变化通告 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图 | SC-88, SOT-363, SC74-6, 6-TSOP |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 310mV @ 20mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1.5A，1.5V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NSS35200MR6T1GOSDKR |